- Примесный уровень полупроводника
-
81. Примесный уровень полупроводника
Примесный уровень
Локальный энергетический уровень полупроводника, обусловленный примесью
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации. academic.ru. 2015.
81. Примесный уровень полупроводника
Примесный уровень
Локальный энергетический уровень полупроводника, обусловленный примесью
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации. academic.ru. 2015.
примесный уровень полупроводника — примесный уровень Локальный энергетический уровень полупроводника, обусловленный примесью. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы примесный уровень … Справочник технического переводчика
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия
РЕКОМБИНАЦИОННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ — (рекомбина ционная люминесценция) люминесценция полупроводника (и диэлектриков), обусловленная рекомбинацией неравновесных электронов и дырок. В отличие от др. видов люминесценции, под Р. и. понимают процесс, к рому предшествует образование… … Физическая энциклопедия
ЗАХВАТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках переход электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещённой зоне полупроводника либо с примесного уровня в валентную зону (последний случай удобнее рассматривать как переход дырки из валентной зоны на примесный… … Физическая энциклопедия
ПЛАЗМА ТВЁРДЫХ ТЕЛ — условный термин, означающий совокупность подвижных заряженных ч ц в тв. проводниках (эл нов проводимости в металлах или эл нов и дырок в полупроводниках) в таких условиях, когда их св ва близки к св вам газоразрядной плазмы. Это позволяет… … Физическая энциклопедия
Донор (физика полупроводников) — Донор в физике твёрдого тела (см. также полупроводники) примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу электрон. Вводится при ковалентном типе связи. Бывают однозарядные и многозарядные доноры. Например, в кристаллах элементов IV… … Википедия
Донор (физика) — У этого термина существуют и другие значения, см. Донор. Донор в физике твёрдого тела (см. также полупроводники) примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу электрон. Вводится при ковалентном типе связи. Бывают однозарядные… … Википедия
Донор электрона — Донор в физике твёрдого тела (см. также полупроводники) примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу электрон. Вводится при ковалентном типе связи. Бывают однозарядные и многозарядные доноры. Например, в кристаллах элементов IV… … Википедия